特許
J-GLOBAL ID：201103052912280334
放射光アブレーションによる透明導電膜の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 三彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210811
公開番号（公開出願番号）：特開2001-040468
特許番号：特許第3694766号
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ターゲット基板上にあらかじめ形成された透明導電膜からなるターゲットに高真空下で放射光を照射し、この放射光照射によるアブレーションによって、前記ターゲットから所定間隔を開けて前記ターゲット基板と相対向して配置された基板上に200°C以下で透明導電膜を堆積させることを特徴とする放射光アブレーションによる透明導電膜の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/28
, C23C 14/08 D
