特許
J-GLOBAL ID：201103053142090376
炭素基板または金属基板上でのカーボンナノチューブの成長
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-547228
公開番号（公開出願番号）：特表2011-512315
出願日： 2009年02月17日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：
本発明は、基板上でのナノチューブの成長、特に、当該ナノチューブの成長が通常は困難である炭素基板または金属基板上でのカーボンナノチューブの成長に関する。したがって、本発明は、単一ステップ、ならびに単一および同一成長装置において、セラミックの副層を堆積する第一の段階と、上記副層上にカーボンナノチューブを堆積することを含む第二の段階とを有する。好適には化学成長気相法を用いて成長を実行させる。
請求項（抜粋）：
基板上においてカーボンナノチューブを成長させる方法であって、
単一かつ同一の成長反応器における単一工程にて、
セラミックの副層を堆積させる第一の段階と、
該セラミックの副層上にカーボンナノチューブを堆積させる第二の段階と
が行われることを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (21件)：
4G146AA11
, 4G146AB07
, 4G146AD20
, 4G146AD22
, 4G146AD30
, 4G146BA12
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC28
, 4G146BC32A
, 4G146BC33A
, 4G146BC33B
, 4G146BC34A
, 4G146BC42
, 4G146BC44
, 4G146BC48
, 4G146DA03
, 4G146DA22
, 4G146DA26
, 4G146DA30
