特許

J-GLOBAL ID：201103053251352810

低アルファ放出性はんだバンプ

発明者： ミラー,ロイ・エム ,  マイル,ベルント ,  ティフィン,ドン・エイ ,  ハッセイン,ティム・ゼット
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  伊藤 英彦 ,  堀井 豊 ,  森下 八郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-583083
特許番号：特許第4397530号
出願日： 1999年09月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 α粒子反応性装置を有する集積回路チップと、 前記集積回路チップに接続するためのPb系のはんだバンプとを含み、 前記Pb系のはんだバンプは、前記集積回路チップの表面上に形成された低アルファPb層と、前記低アルファPb層の上に形成されたPb含有はんだ部分とを含み、前記低アルファPb層は前記Pb含有はんだ部分からのα粒子放出に対して不透過性であり、 前記低アルファPb層が、前記Pb含有はんだ部分のα粒子放出特性の100分の1から1000分の1のα粒子放出特性を示す、装置。

IPC (1件)：

H01L 21/60 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 602 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置のはんだバンプ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-341681   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置、回路基板及び電子回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-062209   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-352429