結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体の製造方法及び電界効果型トランジスタ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-170483
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029238
出願日： 2009年07月21日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：

【課題】目標とする抵抗率を有する結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体を製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体の製造方法は、M1M2O3(M3O)m(M1=Sc、In、Lu、Yb、Tm、Er、Ho及びYからなる群より選択される少なくとも1種類の元素、M2=Fe、Ga、In及びAlからなる群より選択される少なくとも1種類の元素、M3=Cd、Mg、Mn、Co、CuおよびZnからなる群より選択される少なくとも1種類の元素、m=1以上の自然数)で表される結晶性ホモロガス化合物層を形成する工程と、酸素分圧が2×10-2Pa以下、及び、温度が150°C以上の少なくとも一方の条件を満たす雰囲気下で、前記結晶性ホモロガス化合物層を覆う保護層を形成することにより前記結晶性ホモロガス化合物層の抵抗率を制御する工程と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

M1M2O3(M3O)m(M1=Sc、In、Lu、Yb、Tm、Er、Ho及びYからなる群より選択される少なくとも1種類の元素、M2=Fe、Ga、In及びAlからなる群より選択される少なくとも1種類の元素、M3=Cd、Mg、Mn、Co、CuおよびZnからなる群より選択される少なくとも1種類の元素、m=1以上の自然数)で表される結晶性ホモロガス化合物層を形成する工程と、前記結晶性ホモロガス化合物層の目標とする抵抗率に応じ、酸素分圧及び温度の少なくとも一方を制御した雰囲気下で前記結晶性ホモロガス化合物層を覆う保護層を形成する工程と、を有する結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/363 , H01L 21/336 , H01L 21/20

FI (6件)：

H01L29/78 618B , H01L21/363 , H01L29/78 618A , H01L29/78 619A , H01L29/78 617V , H01L21/20

Fターム (59件)：

5F103AA01 , 5F103AA04 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG02 , 5F103GG03 , 5F103HH10 , 5F103LL13 , 5F103NN10 , 5F103PP03 , 5F103RR10 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD04 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110PP31 , 5F110QQ14 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152CC06 , 5F152CD12 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CE01 , 5F152CE16 , 5F152CE24 , 5F152EE14 , 5F152FF21

引用特許：

審査官引用 (7件)

液晶表示素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-224962 出願人：富士フイルムホールディングス株式会社
特開平3-234025
蒸着装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-019610 出願人：富士フイルム株式会社

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