特許
J-GLOBAL ID：201103053644866262

表示装置

発明者：
山岸 万千雄

山岸 万千雄 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 孝久 ,  吉井 正明 ,  森 幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166132
公開番号（公開出願番号）：特開2000-352941
特許番号：特許第4337171号
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 互いに交差する走査線及び信号線と、これらの交差部に配された画素とから成り、 前記画素は、供給される電流に応じて発光する電流駆動型の発光部と、該走査線及び該信号線からの信号に応じて動作し、該発光部に電流を供給する回路部とから成り、 前記回路部は、ゲート電極と、その上面に重ねられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の上方に重ねられた半導体薄膜とから成る薄膜トランジスタを含み、 前記薄膜トランジスタは、該発光部に供給される電流の通路となるソース、チャネル及びドレインを該半導体薄膜に備え、 前記チャネルは、該ゲート電極に印加される信号に応じて該通路を流れる電流を制御し、該制御された電流を該ドレインを介し該発光部に供給する表示装置であって、 前記発光部は、電流に応じて発光する有機エレクトロルミネッセンス素子から成り、 前記薄膜トランジスタを覆うように、前記薄膜トランジスタの上方には発光部の画素電極が配されており、 前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間であって、該チャネルの上方には、ドレイン及び画素電極から発生する電界に起因して飽和領域におけるドレイン電圧の増大に伴うドレイン電流の増加を防ぐためのシールド用の導体膜が配されている表示装置。
IPC (4件)：
G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  G09G 3/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01)
FI (5件)：
G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 618 F ,  G09G 3/30 Z ,  H05B 33/14 A
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (10件)
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