特許

J-GLOBAL ID：200903046811298145

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久 ,  宮永 昭治 ,  三津木 亨 ,  福永 健司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-205347
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040815
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 高い動作性能と高い信頼性とを同時に実現しうる新しい構造の半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁表面を有する基板106上の結晶半導体薄膜を利用した半導体装置において、活性領域102に局部的な不純物注入を施し、ピニング領域104を形成する。このピニング領域104はドレイン側からの空乏層の広がりを抑止し、短チャネル効果を効果的に防止する。また、チャネル形成領域105は真性または実質的に真性であるので高いモビリティが実現される。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上の結晶半導体薄膜を利用して形成されたソース領域、ドレイン領域および活性領域と、ゲイト絶縁膜およびゲイト電極と、を構成の少なくとも一部に含む半導体装置であって、前記活性領域はチャネル形成領域と、前記結晶半導体薄膜のエネルギーバンドをシフトさせてなる不純物領域と、から構成され、局部的に設けられた前記不純物領域によって前記ドレイン領域より前記ソース領域に向かって広がる空乏層が抑止されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 薄膜半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-186265   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭62-248255
  
• 結晶化方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-194023   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-097227   出願人：セイコー電子工業株式会社
• 特開昭60-134468
  

審査官引用 (5件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-097227   出願人：セイコー電子工業株式会社
• 薄膜半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-186265   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭62-248255
  
• 特開昭60-134468
  
• 結晶化方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-194023   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド