薄膜半導体の製造装置および薄膜半導体の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：上柳雅誉 , 須澤修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-212499
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044134
特許番号：特許第4016539号
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】減圧容器内の薄膜半導体にレーザー光を照射することにより熱処理を行う薄膜半導体の製造装置であって、光導入窓を備えた光導入室と、前記光導入室とは真空ゲートバルブによって分離され、表面に前記薄膜半導体が形成された被処理半導体基板を保持する光照射室とを有する前記減圧容器と、前記減圧容器の外部に設けられ、輸送管において前記光導入室と接続されたプラズマ発生室と、を備え、前記光導入窓は、前記プラズマ発生室において発生したプラズマが前記輸送管を通して前記光導入室に導入される場合に加熱されることを特徴とする薄膜半導体製造装置。

IPC (1件)：