特許
J-GLOBAL ID：201103054070893726

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
窪田 晋一

窪田 晋一 について

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堀野 和彦

堀野 和彦 について

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倉又 朗人

倉又 朗人 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-328397
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015860
特許番号：特許第3936109号
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板の上に一導電型クラッド層を形成する工程と、 前記一導電型クラッド層の上に活性層を形成する工程と、 前記活性層の上に第1の反対導電型クラッド層を形成する工程と、 前記第1の反対導電型クラッド層の上に断面が逆メサ形状又はT字型のストライプ状のマスク層を形成する工程と、 前記マスク層を含む基板表面にスパッタ法でAlN 層を形成する工程と、 前記マスク層をエッチングできる溶液を用いて前記マスク層をエッチングするとともに、前記マスク層の側壁及び上面に形成された前記AlN 層をリフトオフする工程と、 前記AlN 層の上と前記第1の反対導電型クラッド層の上に第2の反対導電型クラッド層を形成する工程と を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01S 5/227 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01S 5/227
引用特許：
審査官引用 (5件)
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