半導体レーザ装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-299543
公開番号（公開出願番号）：特開平10-126010
出願日： 1996年10月23日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】窒素を含む化合物の半導体レーザ装置において、電流を狭窄して閾電流を低減するとともに、これによる素子の動作電圧が高くなるのを有効に防止することの可能な半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板101上に、少なくともn型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Nクラッド層104(0<x<1)、In<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N層(0≦y<1)を含む発光領域(活性層)106、p型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Nクラッド層108を順次に形成し、p型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Nクラッド層108上には、電流注入領域となるべきストライプ状の領域120を除いて、Al<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>N層109(x<z≦1)を選択成長によって形成し、前記p型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Nクラッド層108及びAl<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>N層109上には、p型GaNコンタクト層110を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくともn型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Nクラッド層(0<x<1)、In<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N層(0≦y<1)を含む発光領域、p型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Nクラッド層を順次に形成し、p型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Nクラッド層上には、電流注入領域となるべきストライプ状の領域を除いて、Al<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>N層(x<z≦1)を選択成長によって形成し、前記p型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Nクラッド層及びAl<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>N層上には、p型GaNコンタクト層を形成することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-235012 出願人：ローム株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-243681 出願人：株式会社日立製作所
半導体レーザおよびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-328338 出願人：ローム株式会社

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