特許
J-GLOBAL ID：201103054659611038

熱処理装置、基板の熱処理方法、および処理レシピを記録した媒体

発明者：
坂本 浩一

坂本 浩一 について

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王 文凌

王 文凌 について

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鈴木 富士雄

鈴木 富士雄 について

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安原 もゆる

安原 もゆる について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-224147
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043301
特許番号：特許第4514915号
出願日： 2000年07月25日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 処理室内に基板を配置して熱処理を行うための熱処理装置であって, 前記基板を加熱する加熱部と, 前記基板上に膜を形成するための処理ガスを前記処理室内に導入するガス導入部と, 時間の経過と設定温度との関係を表した設定温度プロファイルを含み,かつ前記基板上に膜を形成する熱処理工程を記述する熱処理工程記述部を少なくとも有する処理レシピに従って,前記加熱部および前記ガス導入部を制御する制御部と,を具備し, 前記熱処理工程中に前記基板の中央近傍の中央温度が周縁近傍の周縁温度より高い中央高温状態と該基板の該周縁温度が該中央温度より高い周縁高温状態とが現れ,かつ前記熱処理工程中における前記基板の前記中央温度の時間平均値が,前記周縁温度の時間平均値と略等しくなるように,前記設定温度プロファイルが規定されている ことを特徴とする熱処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/52 ( 200 6.01) ,  H01L 21/22 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/31 B ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/22 511 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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