特許

J-GLOBAL ID：201103054794885687

InSb膜の形成方法及びInSb膜を用いたホール素子の製造方法

発明者： 大浦 秀男 ,  酒井 清治 ,  山崎 皓一郎
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-050206
公開番号（公開出願番号）：特開2000-248359
特許番号：特許第3664368号
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 予め非晶質の下地膜が形成された基板を20°C乃至150°Cの範囲の温度にし、 真空蒸着法により、前記下地膜上に所定厚さのSb膜を形成した後、前記Sb膜の厚さに対して化学量論組成が成立する範囲の厚さでIn膜を形成する工程と、 その後、前記基板を350°C乃至500°Cの範囲の温度にし、 前記Sb膜と前記In膜とを反応させて第1のInSb膜を形成すると共に真空蒸着法によりSb及びInを同時に蒸着することで前記第1のInSb膜上に第2のInSb膜を形成する工程とを有すること特徴とするInSb膜の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 14/24 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/203

FI (5件)：

C23C 14/24 N ,  C23C 14/06 N ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/58 A ,  H01L 21/203 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• アンチモン化インジウム(InSb)層形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-235817   出願人：株式会社エスケーエム
• 特開昭50-007476
  
• ホール素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-302835   出願人：旭化成工業株式会社