特許
J-GLOBAL ID：201103055841128438
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-287717
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100629
特許番号：特許第3917355号
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に設けられた、少なくとも第1,第2の下層配線と、
前記第1,第2の下層配線の表面を埋め込むようにして、前記半導体基板上に設けられた第1の層間膜と、
前記第1の層間膜に設けられた開孔部に対し、第1の膜を介して、第2の膜を埋め込んでなる、前記第1,第2の下層配線にそれぞれコンタクトする第1,第2の接続配線と、
前記第2の接続配線に連続して前記第1の層間膜上に設けられた、クロストークノイズの発生を抑えるための、前記第1の膜のみからなるプレート電極と、
前記第1,第2の接続配線および前記プレート電極を含んで、前記第1の層間膜上に設けられた第2の層間膜と、
前記第2の層間膜に設けられ、前記第1の接続配線を介して、前記第1の下層配線につながる上層配線と
を具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
H01L 21/88 S
, H01L 27/04 D
, H01L 27/04 H
