特許
J-GLOBAL ID：201103055927588270
高効率発光ダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-072531
公開番号（公開出願番号）：特開2011-243956
出願日： 2011年03月29日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：
【課題】 電流分散性能を改善した高効率発光ダイオード及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明の発光ダイオードは、支持基板と、支持基板上に位置し、p型化合物半導体層、活性層、及びn型化合物半導体層を有する半導体積層構造体と、支持基板と半導体積層構造体との間に配置され、半導体積層構造体にオーミックコンタクトする反射金属層と、半導体積層構造体上に配置される第1の電極パッドと、第1の電極パッドから延長し、n型化合物半導体層に接触する接触領域を有する電極延長部と、支持基板と半導体積層構造体との間に配置され、電極延長部の接触領域下のp型化合物半導体層の表面領域を覆う下部絶縁層と、第1の電極パッドと半導体積層構造体との間に介在された上部絶縁層と、備える。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
支持基板と、
前記支持基板上に配置され、p型化合物半導体層、活性層、及びn型化合物半導体層を有する半導体積層構造体と、
前記支持基板と前記半導体積層構造体との間に配置され、前記半導体積層構造体にオーミックコンタクトする反射金属層と、
前記半導体積層構造体上に配置される第1の電極パッドと、
前記第1の電極パッドから延長され、前記n型化合物半導体層に接触する接触領域を有する電極延長部と、
前記支持基板と前記半導体積層構造体との間に配置され、前記電極延長部の前記接触領域下の前記p型化合物半導体層の表面領域を覆う下部絶縁層と、
前記第1の電極パッドと前記半導体積層構造体との間に介在された上部絶縁層と、
を備えることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA77
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA99
, 5F041CB15
, 5F041DA01
, 5F041DA19
, 5F041DA25
, 5F041DA29
, 5F041DB09
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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