窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-259870
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091638
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】主光取り出し面側における光取り出し効率と素子直上における発光強度分布とを改善し得る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の提供を目的とする。【解決手段】透光性でかつ導電性であって第1の主面及び第2の主面を有する基板1と、第1の主面の上に積層される窒化ガリウム系化合物半導体の半導体積層構造と、この半導体積層構造の最上層の表面に設けたp側電極7と、第2の主面の上に設けたn側電極6とを含み、第2の主面を主光取り出し面側とし、p側電極7を半導体積層構造の最上層の表面のほぼ全面に形成し、n側電極6を第2の主面の周縁部の一部または全部に形成し、活性層3における全面均一な発光を確保し、主光取り出し面側から取り出される光量を増大させる。

請求項（抜粋）：

透光性でかつ導電性であって第1の主面及び第2の主面を有する基板と、前記第1の主面の上に積層される窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型層とp型層とを含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造の最上層の表面に設けた第1の電極と、前記第2の主面の上に設けた第2の電極とを含み、前記第2の主面を主光取り出し面側とした化合物半導体発光素子であって、前記第1の電極を前記最上層の表面のほぼ全面に形成し、前記第2の電極を前記第2の主面の周縁部の一部または全部に形成していることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

Fターム (11件)：

5F041AA03 , 5F041AA05 , 5F041CA04 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA83 , 5F041CA85 , 5F041CA86 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041DA44

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-241889 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-321026 出願人：豊田合成株式会社
特開平3-019369

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