気相成長方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：角田芳末 , 磯山弘信 , 松隈秀盛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-017293
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216104
特許番号：特許第4451508号
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】外部に加熱手段を有する石英ガラスからなる反応管の内壁及び前記反応管内に装備された温度計を内包する石英ガラスよりなる保護管の表面に、予め厚さ1μm以上のポリシリコン又はSi3N4の膜を形成する工程と、次いで、前記加熱手段を制御するための反応管内の温度を前記温度計で測定する工程と、その後、前記反応管内に基板を挿入し、前記温度計の測定値を基準として前記加熱手段の制御を行いながら、前記基板上に半導体薄膜を気相成長させる工程とを有することを特徴とする気相成長方法。

IPC (3件)：