特許
J-GLOBAL ID：201103056298824492
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260602
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085687
特許番号：特許第4250822号
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の半導体基板(1)の主表面上に、この半導体基板(1)よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)を形成する工程と、
前記半導体層(2)の表層部の所定領域に、所定深さを有する第2導電型のベース領域(3a、3b)をイオン注入によって形成する工程と、
前記半導体層(2)及び前記ベース領域(3a、3b)の上部に表面チャネル層を形成する工程と、
前記ベース領域(3a、3b)の表層部の所定領域に、前記表面チャネル層(5)に接すると共に該ベース領域(3a、3b)の深さよりも浅い第1導電型のソース領域(4a、4b)を形成する工程とを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記ベース領域(3a、3b)形成工程は、
第2導電型の不純物を1MeV以上の加速エネルギーで注入する工程と、
レーザによって熱処理するレーザ熱処理工程を施し、注入された不純物を活性化させると共に該ベース領域(3a、3b)を再結晶化させる工程と、を含み、
前記レーザ熱処理工程では、前記ベース領域(3a、3b)の下方側端から上方側端へ向かって順に、もしくは上方側端から下方側端に向かって順にレーザ照射を行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 C
, H01L 21/265 Z
, H01L 21/265 602 C
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 658 A
