特許

J-GLOBAL ID：201103056380166118

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  浅見 勇臣 ,  高山 徹 ,  河崎 律子 ,  安達 広樹 ,  荒井 康行 ,  坂本 直哉 ,  早川 昌彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (4件)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  福田 武通 ,  加藤 恭介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372013
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269510
特許番号：特許第3977974号
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上に形成された含有窒素濃度が含有酸素濃度よりも大きい第1の酸化窒化シリコン膜と、 前記第1の酸化窒化シリコン膜上に形成された含有窒素濃度が含有酸素濃度よりも小さい第2の酸化窒化シリコン膜とを含む第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上に形成され、チャネル形成領域、LDD領域、ソース領域及びドレイン領域が設けられた、引張り応力を有する結晶質半導体膜と、 前記結晶質半導体膜上に形成された含有窒素濃度が含有酸素濃度よりも小さい第3の酸化窒化シリコン膜を含む第2の絶縁層と、 を備え、 前記第1の酸化窒化シリコン膜は、前記基板に沿う方向に引張り応力を有し、 前記第2の酸化窒化シリコン膜は、前記基板に沿う方向に圧縮応力を有し、且つ前記第1の酸化窒化シリコン膜と第2の酸化窒化シリコン膜とからなる積層された膜及び前記第1の絶縁層は、前記基板に沿う方向に引張り応力を有し、 前記第3の酸化窒化シリコン膜及び前記第2の絶縁層は、前記基板に沿う方向に圧縮応力を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 619 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-181378   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344495   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所