電子放出素子、電子源及び画像形成装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺敬介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-042445
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243226
特許番号：特許第3466947号
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に一対の素子電極を形成する工程と、素子電極間に跨る導電性膜を形成する工程と、素子電極間に通電し、導電性膜に電子放出部を形成するフォーミング工程と、導電性膜上にポリイミド膜を形成する工程と、素子電極間に通電し、ポリイミド膜に炭化部位を形成する工程とを有しており、上記ポリイミド膜を形成する工程において、全芳香族系ポリアミドの前駆体溶液をインクジェット法により異なる駆動条件で2回以上重ね打ちすることにより、ポリイミド膜の周辺部と中心部との膜厚比を2/1から1/2(周辺部膜厚/中心部膜厚)にすることを特徴とする電子放出素子の製造方法。

IPC (1件)：