特許
J-GLOBAL ID：201103056510721615
半導体装置の実装方法および半導体装置実装体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-192920
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016104
特許番号：特許第4024458号
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】すず層またはすずを含む合金層を上面上に有するパッドを備えた基板上に第1の絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記第1の絶縁樹脂層が形成された前記基板において、半導体装置に加重を加えて該半導体装置の突起電極を前記基板の前記パッドに接触させる工程と、
加熱、加圧を伴うトランスファーモールドを用いて、前記半導体装置を覆うように第2の絶縁樹脂層を形成・硬化し、同時に、該加熱で前記第1の絶縁樹脂層を硬化しかつ前記すず層または前記合金層と前記突起電極との接合部に該すず層または該合金層と該突起電極との合金を生じさせる工程と
を有することを特徴とする半導体装置の実装方法。
IPC (5件)：
H01L 21/60 ( 200 6.01)
, H01L 21/56 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 23/29 ( 200 6.01)
, H01L 23/31 ( 200 6.01)
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/56 T
, H01L 23/12 501 B
, H01L 23/30 B
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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