特許

J-GLOBAL ID：201103056820988514

半導体装置の作製方法

発明者： 吉本 智史 ,  小野 幸治 ,  荒尾 達也
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-205919
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026331
特許番号：特許第4519278号
出願日： 2000年07月06日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 絶縁表面上に下地絶縁膜を形成し、 前記下地絶縁膜上にメチル(CH3)基、エチル(C2H5)基、プロピル(C3H7)基、ブチル(C4H9)基、ビニル(C2H3)基、フェニル(C6H5)基、CF3基のいずれかを含有する酸化シリコン膜を用いて第1の保温層を形成し、 前記保温層上に第1の絶縁膜形成し、 前記第1の絶縁膜上に接して半導体膜を形成し、 前記半導体膜に接してメチル(CH3)基、エチル(C2H5)基、プロピル(C3H7)基、ブチル(C4H9)基、ビニル(C2H3)基、フェニル(C6H5)基、CF3基のいずれかを含有する酸化シリコン膜を用いて第2の保温層を形成し、 レーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、 前記結晶質半導体膜を用いてチャネル形成領域を形成する半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/268 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 J

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-274106   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶シリコン薄膜の形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-346879   出願人：富士通株式会社