特許
J-GLOBAL ID：201103056890023540
電気光学装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191079
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024196
特許番号：特許第4437511号
出願日： 1999年07月05日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を加熱処理し、結晶質構造を含む半導体膜に変化させ、
前記結晶質構造を含む半導体膜より複数の活性層を形成し、
前記複数の活性層のうち、後にnチャネル型TFTに含まれる活性層にn型不純物元素を選択的に添加し、後に一部がLDD領域となる領域を形成し、
前記複数の活性層の上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に積層して設けられた導電膜を形成し、
前記導電膜の上にレジストマスクを形成し、パターニングを行って第1の形状のゲート配線を形成し、
前記第1の形状のゲート配線をマスクとして、前記複数の活性層のうち、後に前記nチャネル型TFTに含まれる活性層にn型不純物元素を添加し、
前記レジストマスクを用いて、前記積層して設けられた導電膜のうち、少なくとも最下層の導電膜を除く前記第1の形状のゲート配線の一部をエッチングして第2の形状のゲート配線を形成し、
前記第2の形状のゲート配線をマスクとして、前記複数の活性層のうち、後に前記nチャネル型TFTに含まれる活性層に前記積層して設けられた導電膜のうち、最下層の導電膜の第2の形状のゲート配線を貫通させてn型不純物元素を添加し、前記第2の形状のゲート配線の一部と重なる状態である前記LDD領域、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記複数の活性層のうち、後にpチャネル型TFTに含まれる活性層にp型不純物元素を添加し、ソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 27/08 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, G02F 1/1345 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 616 A
, H01L 27/08 331 E
, G02F 1/136
, G02F 1/134
, G09F 9/30 338
