プラズマ処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：亀谷美明 , 金本哲男 , 萩原康司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-296693
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118830
特許番号：特許第4523094号
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】処理室内に配置された被処理体に対し,前記被処理体に形成された有機ポリシロキサン膜上のフォトレジスト膜をマスクとしてプラズマエッチング処理を施し,前記有機ポリシロキサン膜の一部が露出するパターンを形成した後に,前記フォトレジスト膜を除去するプラズマ処理方法であって: 前記処理室内に処理ガスを導入し,前記処理室内の圧力を30mTorr(4.00Pa)〜150mTorr(20.0Pa)に設定する工程と; 前記圧力下で前記処理ガスをプラズマ化し,前記パターンが形成された前記被処理体の前記フォトレジスト膜を前記有機ポリシロキサン膜の誘電率の上昇を抑えつつ除去する工程と;を含み、前記フォトレジスト膜を除去する工程は,前記プラズマエッチング処理を行った処理室と同一の処理室内で、前記プラズマエッチング処理時の処理圧力と被処理体の温度とを維持した状態で行われることを特徴とする,プラズマ処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) , H01L 21/027 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/302 104 H , H01L 21/30 572 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

多層配線構造の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-045649 出願人：東京応化工業株式会社
特開昭63-299341
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-334382 出願人：日本電気株式会社

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