特許
J-GLOBAL ID：201103057071182598
磁気トンネル効果素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人プロスペック特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-239681
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057380
特許番号：特許第3551134号
出願日： 2000年08月08日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、前記基板上に形成される磁化の向きが固定された固定磁化層と、磁化の向きが外部磁界に応じて変化する自由磁化層と、前記固定磁化層及び前記自由磁化層の間に挟まれる絶縁層とを含んでなる磁気トンネル効果素子の製造方法において、 シリコンの表面を酸化してSiO2とした前記基板を準備する工程と、 前記基板上にCrからなる下地層、PtMnからなる反強磁性層及び軟質磁性の強磁性層を積層し前記固定磁化層となる層を形成する工程と、 前記固定磁化層となる層の上に前記絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層の上に前記自由磁化層を形成する工程と、 前記固定磁化層となる層、前記絶縁層及び前記自由磁化層が積層された素子の雰囲気温度を室温から一定の高温まで上昇させ、その高温雰囲下の状態にて同素子に1時間だけ磁界を加え、その後、同素子の雰囲気温度を室温まで低下させ、前記固定磁化層となる層の磁化の向きを固定する工程と、を含んだことを特徴とする磁気トンネル効果素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
