特許
J-GLOBAL ID：201103057109710151
炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-078292
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264795
特許番号：特許第4089073号
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 容器(1、2)内に、成長させる炭化珪素単結晶の原料(4)と、種結晶となる炭化珪素単結晶基板(3)を配置し、前記原料を昇華させて前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶(10)を成長させる炭化珪素単結晶製造方法において、
少なくとも前記炭化珪素単結晶基板の直径以上の平面部を有する複数枚の板部材(5a)を、前記炭化珪素単結晶基板と前記原料との間に、前記炭化珪素単結晶基板の成長表面と前記平面部とが対向するように積層すると共に、該複数枚の板部材のそれぞれの間に隙間を設けて配置し、該複数枚の板部材それぞれの外周部で支持されるようにして前記単結晶の成長を行なうことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 23/00 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, C30B 23/00
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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