特許
J-GLOBAL ID：201103057115470197

MEMSデバイス

発明者：
池橋 民雄

池橋 民雄 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (19件)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-214849
公開番号（公開出願番号）：特開2011-066156
出願日： 2009年09月16日
公開日（公表日）： 2011年03月31日
要約：
【課題】ホットスイッチング特性が向上するMEMSデバイスを提案する。【解決手段】本発明の例に関わるMEMSデバイスは、第1及び第2の下部電極11,12と、静電容量C1を有する固定容量素子を下部電極11との間に形成する第1の駆動電極31と、静電容量C2を有する固定容量素子を下部電極12との間に形成する第2の駆動電極32と、基板上に設けられたアンカー部によって、駆動電極31,32上方に中空に支持され、駆動電極31,32に向かって動き、駆動電極31との間に可変な静電容量C3を有し、駆動電極32との間に可変な静電容量C4を有する上部電極2と、を具備し、下部電極11,12の間の容量値は、静電容量C1,C2,C3,C4が直列接続された合成容量の値で決定され、直列接続された合成容量の値が、可変容量値として用いられる。【選択図】図2A
請求項（抜粋）：
第1及び第2の下部電極と、 第1の静電容量を有する固定容量素子を、前記第1の下部電極との間に形成する第1の駆動電極と、 第2の静電容量を有する固定容量素子を、前記第2の下部電極との間に形成する第2の駆動電極と、 基板上に設けられたアンカー部によって、前記第1及び第2の駆動電極上方に中空に支持され、前記第1及び第2の駆動電極に向かって動き、前記第1の駆動電極との間に可変可能な第3の静電容量を有し、前記第2の駆動電極との間に可変可能な第4の静電容量を有する上部電極と、を具備し、 前記第1及び第2の下部電極の間の容量値は、前記第1、第2、第3及び第4の静電容量が直列接続された合成容量の値で決定され、 前記直列接続された合成容量の値が、可変容量値として用いられる、 ことを特徴とするMEMSデバイス。
IPC (2件)：
H01G 5/16 ,  H01G 5/01
FI (2件)：
H01G5/16 ,  H01G5/01 N
引用特許：
審査官引用 (4件)
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