半導体装置およびその製造方法ならびに電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：上柳雅誉 , 須澤修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026601
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217386
特許番号：特許第3684978号
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体チップを複数個積層してなる半導体装置の製造方法において、複数個積層された前記半導体チップに貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内周に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第1の金属の膜を形成する工程と、前記第1の金属の膜上に第2の金属の膜を形成する工程と、前記第1の金属と前記第2の金属との共晶合金を、前記貫通孔を残して形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：