半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-283608
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110748
特許番号：特許第3334692号
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン基板上の素子領域の所定領域にゲート絶縁膜、ゲート電極、前記ゲート電極側面のサイドウォール及びソース・ドレイン領域となる拡散層を含むトランジスタを形成する工程と、前記拡散層及び前記ゲート電極上に選択的にシリサイド膜を形成する工程と、を有し、前記シリサイド膜形成工程は、前記シリコン基板を加熱しながら第1金属膜を間欠的に堆積した後、前記第1金属膜上に窒化チタン(TiN)又はタングステン(W)からなる第2金属膜を形成し、前記第1金属膜の堆積温度よりも高温で熱処理することにより前記拡散層及び前記ゲート電極上にシリサイド膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：