特許
J-GLOBAL ID：200903037909907051
シリサイド層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-204172
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050973
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】 狭い部分のシリコン層上にシリサイド層を形成するとシリサイドが凝集を起こすため、薄膜のシリサイド層を安定的に形成できない。【解決手段】 第1工程で、シリコン層11上に形成した金属層12とこのシリコン層11とを反応させて第1シリサイド層13を形成する。次いで第2工程で、例えば第1シリサイド層13に例えばシリコンをイオン注入して、第1シリサイド層13を非晶質化する。その後第3工程で、例えば熱処理によって、非晶質化した第1シリサイド層13を再結晶化して第2シリサイド層14を形成する。また上記金属層12上にこの金属層12の酸化を防止するための酸化防止膜(図示省略)を形成した後、シリコン層11と金属層12とを反応させて第1シリサイド層13を形成してもよい。
請求項（抜粋）：
シリコン層上に形成した金属層と該シリコン層とを反応させて第1シリサイド層を形成する第1工程と、前記第1シリサイド層を非晶質化する第2工程と、前記非晶質化した第1シリサイド層を再結晶化して第2シリサイド層を形成する第3工程とを備えたことを特徴とするシリサイド層の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/265
, H01L 21/3065
H01L 21/28 301 T
, H01L 21/265 Q
, H01L 21/302 F
