特許
J-GLOBAL ID:201103057757073590

フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト用共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 荒船 博司 ,  荒船 良男
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-231614
公開番号(公開出願番号):特開2001-106738
特許番号:特許第3705734号
出願日: 2000年07月31日
公開日(公表日): 2001年04月17日
請求項(抜粋):
【請求項1】 下記式(1)で示されるビシクロ化合物を用いることを特徴とするフォトレジスト単量体。;;化1:: 前記式で、Bは、;;化2::であり、 Rは水素、炭素数1〜10の置換あるいは非置換された直鎖または側鎖アルキル、シクロアルキル、アルコキシアルキル、シクロアルコキシアルキル、-COOR'、-(CH2)tOH、-COO(CH2)tOHまたは、;;化3::であり、 V及びWは、それぞれ炭素数1〜10の置換あるいは非置換された直鎖または側鎖アルキル、シクロアルキル、アルコキシアルキルまたはシクロアルコキシアルキルであり、 R'は水素、炭素数1〜10の置換あるいは非置換された直鎖または側鎖アルキル、シクロアルキル、アルコキシアルキルまたはシクロアルコキシアルキルであり、 R''は酸に敏感な保護基であり、 R1〜R12はそれぞれ水素、炭素数1〜10の置換あるいは非置換された直鎖または側鎖アルキル、シクロアルキル、アルコキシアルキル、シクロアルコキシアルキル、-CH2OHまたは-CH2CH2OHであり、 nは1〜3のいずれかの整数であり、 d、m及びtはそれぞれ0〜5のいずれかの整数である。
IPC (7件):
C08F 32/08 ,  C07D 211/22 ,  C08F 2/06 ,  C08F 4/04 ,  C08F 4/34 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/38
FI (7件):
C08F 32/08 ,  C07D 211/22 CSP ,  C08F 2/06 ,  C08F 4/04 ,  C08F 4/34 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38
引用特許:
出願人引用 (2件)

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