特許

J-GLOBAL ID：201103057827332890

プラズマ処理装置

発明者： 松田 出 ,  奥村 智洋 ,  前川 幸弘
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 青山 葆 ,  古川 泰通 ,  前田 厚司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-066594
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270587
特許番号：特許第4515652号
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 接地された真空容器と、前記真空容器の底部に配置されると共に前記真空容器と電気的に接続されるハウジングとを有し、基板を上面に保持する基板保持台と、前記基板と前記基板保持台との間にガス流路を介してガスを供給するガス供給手段とを備えたプラズマ処理装置において、 前記ハウジングの上面には前記ガス流路に対応した位置にガス溜まりが形成されると共に前記ガス供給手段のガス流路は、前記基板保持台に挿入された筒状体からなり、かつ、前記基板保持台の前記ガス流路の先端には空間部が形成され、前記筒状体と前記基板保持台との隙間にシリコン接着剤が充填されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  C23C 16/458 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/302 101 R ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-310383
  
• 静電吸着電極およびその製作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-247537   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマ処理装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-234325   出願人：松下電器産業株式会社