特許
J-GLOBAL ID：201103057966667325

光電変換素子及びその製造方法並びに撮像素子

発明者：
三ッ井 哲朗

三ッ井 哲朗 について

, 
野村 公篤

野村 公篤 について

, 
▲濱▼野 光正

▲濱▼野 光正 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-127490
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014893
出願日： 2010年06月03日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：
【課題】光電変換効率及び高速応答性に優れた光電変換素子及び固体撮像素子を提供すること。【解決手段】導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、 前記光電変換膜が、フラーレン又はフラーレン誘導体と、吸収スペクトルが下記(A)及び(B)の少なくともいずれかの条件を満たす光電変換材料とを含む、光電変換素子。 (A):λM1<λL1、かつλM2<λL2 (B):λM1<λL1、かつΔ|λM1-λL1|>Δ|λM2-λL2| (A)及び(B)において、λL1、λL2、λM1、及びλM2は、波長400〜800nmの範囲における最大吸収強度の1/2の吸収強度を示す波長であって、λL1及びλL2は、前記光電変換材料をクロロホルムに溶解させたときのクロロホルム溶液スペクトルにおける波長を表し、λM1及びλM2は、前記光電変換材料単独の薄膜吸収スペクトルにおける波長を表す。ただし、λL1<λL2、λM1<λM2である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性膜と、光電変換層と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、 前記光電変換層が、フラーレン又はフラーレン誘導体と、吸収スペクトルが下記(A)及び(B)の少なくともいずれかの条件を満たす光電変換材料とを含む、光電変換素子。 (A):λM1<λL1、かつλM2<λL2 (B):λM1<λL1、かつΔ|λM1-λL1|>Δ|λM2-λL2| (A)及び(B)において、λL1、λL2、λM1、及びλM2は、波長400〜800nmの範囲における最大吸収強度の1/2の吸収強度を示す波長であって、λL1及びλL2は、前記光電変換材料をクロロホルムに溶解させたときのクロロホルム溶液スペクトルにおける波長を表し、λM1及びλM2は、前記光電変換材料単独の薄膜吸収スペクトルにおける波長を表す。ただし、λL1<λL2、λM1<λM2である。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (2件)：
H01L31/10 A ,  H01L27/14 E
Fターム (21件)：
4M118AA01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA14 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118CB14 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GC07 ,  5F049MA02 ,  5F049MB08 ,  5F049NA03 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA06 ,  5F049RA03 ,  5F049SE04 ,  5F049SS03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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