特許
J-GLOBAL ID：200903037724856566

光電変換素子及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法

発明者：
尾坂 格

尾坂 格 について

, 
横山 大輔

横山 大輔 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-316524
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123707
出願日： 2005年10月31日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】光電変換効率が高い光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子(好ましくはカラーイメージセンサー)を提供する。【解決手段】フラーレン又はフラーレン誘導体を少なくとも1つ含有する有機半導体PN接合を一対の電極で挟んだ光電変換素子、これを用いた撮像素子。前記電極に電場を印加する方法、及び印加した撮像素子。前記光電変換素子は分光特性を有し、青色、赤色、緑色に対応した前記光電変換素子を積層したカラー撮像素子。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
p型半導体とn型半導体から成る光電変換膜を一対の電極で挟んだ光電変換素子を含有する撮像素子において、該光電変換膜にフラーレン又はフラーレン誘導体を含有することを特徴とする撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L27/14 E ,  H01L31/10 A
Fターム (18件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA15 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118DB20 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  5F049MB08 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (8件)
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