特許
J-GLOBAL ID:201003023486241604

光電変換素子及び撮像素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-039376
公開番号(公開出願番号):特開2010-103457
出願日: 2009年02月23日
公開日(公表日): 2010年05月06日
要約:
【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す光電変換素子を提供する。【解決手段】導電性薄膜、少なくとも1つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記の一般式(I)で示される化合物及びフラーレンもしくはフラーレン誘導体を含んでなる光電変換素子。 一般式(I) 式中、Z1は5または6員環を形成するのに必要な原子群を表す。L1、L2、L3はそれぞれ無置換メチン基、または置換メチン基を表す。D1は原子群を表す。nは0以上の整数を表す。【選択図】なし
請求項(抜粋):
導電性薄膜、少なくとも1つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記の一般式(I)で示される化合物及びフラーレンもしくはフラーレン誘導体を含んでなることを特徴とする光電変換素子。 一般式(I)
IPC (2件):
H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (2件):
H01L31/10 A ,  H01L27/14 E
Fターム (19件):
4M118AA01 ,  4M118AA02 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118CA04 ,  4M118CA15 ,  4M118CA19 ,  4M118CA27 ,  4M118CB05 ,  4M118FA06 ,  4M118GC08 ,  5F049MA02 ,  5F049MB08 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA06 ,  5F049RA08 ,  5F049SE02
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
引用文献:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)
  • "Magnetic field influence on photovoltaic effect of PMMA doped with dimethylaminobenzylidene 1,3-ind
  • "Magnetic field influence on photovoltaic effect of PMMA doped with dimethylaminobenzylidene 1,3-ind
  • "Magnetic field influence on photovoltaic effect of PMMA doped with dimethylaminobenzylidene 1,3-ind

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