特許

J-GLOBAL ID：201103057996321237

半導体メモリ装置

発明者： 平野 博茂
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (2件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-348377
公開番号（公開出願番号）：特開2001-167584
特許番号：特許第4409018号
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 強誘電体からなる容量絶縁膜を有するキャパシタ及び該キャパシタを外部から選択的にアクセス可能とする第1のセル選択トランジスタを含む強誘電体メモリセルと、 互いに直列に接続され、その共通接続部をデータ保持ノードとする第1導電型の負荷トランジスタ及び第2導電型の駆動トランジスタ、並びに前記データ保持ノードを外部から選択的にアクセス可能とする第2のセル選択トランジスタを含むSRAMセルとを備え、 前記第1のセル選択トランジスタと前記第2のセル選択トランジスタとは、同一のビット線によりアクセスされ、 前記強誘電体メモリセルと前記SRAMセルとは、互いに隣接するようにそれぞれ複数設けられ、 互いに隣接する前記誘電体メモリセル及びSRAMセルからなる一の対と、前記ビット線が延びる方向に隣接する他の対とは、隣接する領域の境界線に対して線対称となるように配置されていることを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (6件)：

G11C 11/22 ( 200 6.01) ,  G11C 11/41 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8244 ( 200 6.01) ,  H01L 27/11 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01)

FI (4件)：

G11C 11/22 ,  G11C 11/34 Z ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 444 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性メモリセル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-091418   出願人：日本電気株式会社
• 不揮発メモリ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-504587   出願人：シメトリックス・コーポレーション, オリンパス光学工業株式会社