半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐野静夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-362238
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176889
特許番号：特許第4544676号
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】はんだテープが供給され、複数の半導体素子が作り込まれている半導体ウエハの前記複数の半導体素子の配置および形状に対応して前記はんだテープをプレスし、前記複数の半導体素子の配置および形状に対応した配置および形状の複数のはんだ材をプレス形成する第1工程と、第1工程で得られた配置および形状の複数のはんだ材に対して、キャリアフィルムを対向させ、この配置および形状のままの状態で前記複数のはんだ材を前記キャリアフィルムに転写する第2工程と、複数の半導体素子が作り込まれている前記半導体ウエハの裏面メタル部側と、前記複数のはんだ材がその配置および形状のままの状態で転写されている前記キャリアフィルムとを対向させ位置合わせを行った上で、真空圧着装置の金型部を閉じて真空引きを行い、真空引きの終了後に前記はんだ材の融点以下の温度で圧着を行う第3工程とを、順次行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/52 ( 200 6.01) , B23K 1/00 ( 200 6.01) , B23K 3/06 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/52 C , H01L 21/52 G , B23K 1/00 330 E , B23K 3/06 G

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-275441
特開昭58-017625
特開平4-275441

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