特許
J-GLOBAL ID：201103058349570027

窒化物半導体素子

発明者：
山口 敦司

山口 敦司 について

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伊藤 範和

伊藤 範和 について

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▲高▼堂 真也

▲高▼堂 真也 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-107296
公開番号（公開出願番号）：特開2011-238685
出願日： 2010年05月07日
公開日（公表日）： 2011年11月24日
要約：
【課題】 リーク電流の増加を抑制しつつ、基板上のIII族窒化物半導体の超格子構造の周期数を増やした場合でもクラックの発生を抑制できる窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 基板2上に、GaN層10およびAlN層11が複数対交互に積層された第1GaN/AlN超格子層8を形成し、この第1GaN/AlN超格子層8に接するように、GaN層12およびAlN層13が複数対交互に積層された第2GaN/AlN超格子層9を形成する。第2GaN/AlN超格子層9上には、GaN電子走行層6およびAlGaN電子供給層7からなる素子動作層を形成する。これにより、HEMT1を構成する。このHEMT1において、第1GaN/AlN超格子層8のc軸平均格子定数LC1と、第2GaN/AlN超格子層9のc軸平均格子定数LC2と、GaN電子走行層6のc軸平均格子定数LC3とが、式(1)LC1<LC2<LC3を満たすようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成され、互いに組成が異なる2種のIII族窒化物半導体層が複数対交互に積層された超格子構造からなる第1バッファ層と、 前記第1バッファ層上に、当該第1バッファ層に接して積層され、互いに組成が異なる2種のIII族窒化物半導体層が複数対交互に積層された超格子構造からなる第2バッファ層と、 前記第2バッファ層上に形成され、III族窒化物半導体からなる素子動作層とを含み、 前記第1バッファ層の平均格子定数LC1と、前記第2バッファ層の平均格子定数LC2と、前記素子動作層の平均格子定数LC3とが、下記式(1)を満たす、窒化物半導体素子。 式(1):LC1<LC2<LC3
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/34
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  C23C16/34
Fターム (40件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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