SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-198872
公開番号（公開出願番号）：特開2011-049496
出願日： 2009年08月28日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、5°以下のオフ角で傾斜させた4H-SiC単結晶基板を、その表面の格子乱れ層が3nm以下となるまで研磨する工程と、水素雰囲気下で、研磨後の基板を1400〜1600°Cにしてその表面を清浄化する工程と、清浄化後の基板の表面に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量のSiH4ガスとC3H8ガスとを濃度比C/Siが0.7〜1.2で同時に供給して炭化珪素をエピタキシャル成長させる工程と、SiH4ガスとC3H8ガスの供給を同時に停止し、SiH4ガスとC3H8ガスとを排気するまで基板温度を保持し、その後降温する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた4H-SiC単結晶基板上にSiCのエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、レーザー光を用いる光学式表面検査装置により前記SiCエピタキシャルウェハ層の表面を測定した場合に、前記表面の二乗平均粗さRqが1.3nm以下であることを特徴とするSiCエピタキシャルウェハ。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C30B 29/36 , C30B 25/20 , C23C 16/42

FI (4件)：

H01L21/205 , C30B29/36 A , C30B25/20 , C23C16/42

Fターム (52件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB10 , 4G077BE08 , 4G077DB04 , 4G077EA02 , 4G077EA06 , 4G077EC09 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EE02 , 4G077EE03 , 4G077GA02 , 4G077GA05 , 4G077GA06 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB02 , 4G077TC01 , 4G077TC06 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK10 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030AA20 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030DA03 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030LA14 , 5F045AA06 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AD18 , 5F045AE25 , 5F045AE27 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA01 , 5F045CA05 , 5F045DP13 , 5F045GB11

引用特許：

審査官引用 (2件)

炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-175533 出願人：日立金属株式会社
バイポーラ型半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-089227 出願人：関西電力株式会社, 財団法人電力中央研究所

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