特許
J-GLOBAL ID：201103059519758685
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和泉 良彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135458
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332239
特許番号：特許第3575331号
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】Siよりもバンドギャップの広い第1導電型のワイドバンドギャップ半導体基体中に形成されたドレイン領域ならびにソース領域と、ゲート電圧によって伝導度が変調されるチャンネル領域と、を具備した電界効果トランジスタにおいて、前記ワイドバンドギャップ半導体基体の一主面の所定の領域にU字型の溝が形成され、該溝内にゲート絶縁膜によって前記ワイドバンドギャップ半導体基体と絶縁され、かつ前記ゲート絶縁膜と接してゲート電極が形成されている、いわゆるUゲート電極構造を有しており、前記溝の外側に、前記溝の側壁と対向し、かつ前記溝と間隔を開けて第2導電型の半導体領域が形成されており、該第2導電型の半導体領域と前記ゲート絶縁膜との間の前記ワイドバンドギャップ半導体基体中に前記ワイドバンドギャップ半導体基体とは濃度の異なるチャネル領域が形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28
, H01L 29/80
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 654 C
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/80 V
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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