半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：木村満
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068249
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269447
特許番号：特許第3540190号
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】データを記憶する複数の記憶領域と、アドレスデコーダを含む前記複数の記憶領域へアクセスするための回路が配置される領域と、前記複数の記憶領域へ信号を伝達する複数の第1の信号配線と、該複数の第1の信号配線間に配置され、前記第1の信号配線よりも配線長の短い複数の信号配線であって、前記領域へ信号を伝達する複数の第2の信号配線とが配置される配線領域と、が設けられる半導体チップを備え、前記配線領域には、前記複数の第1の信号配線及び前記複数の第2の信号配線により配線が密になる部分が形成されると共に、前記複数の第1の信号配線により配線が疎になる部分が形成され、前記複数の第1の信号配線間に配置される配置対象の第2の信号配線は、該第2の信号配線に隣接する第1の信号配線とは、設計ルールに基づいて決定される信号配線間の最小距離以上離されて、前記半導体チップの配線領域に配置され、前記複数の第1の信号配線それぞれは、数式1によって求められる間隔(K)で前記半導体チップの配線領域に配置されている、ことを特徴とする半導体記憶装置。;;数1::K≧2S+L(但し、Sは前記最小距離を示す値とする。Lは前記第2の信号配線の配線幅を示す値とする。)

IPC (4件)：

H01L 27/10 , G11C 11/401 , H01L 21/3205 , H01L 21/82

FI (4件)：

H01L 27/10 471 , H01L 21/82 W , G11C 11/34 371 K , H01L 21/88 Z

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平2-308565
バス配線
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-039886 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-232895

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