特許
J-GLOBAL ID：201103059553210907

薄膜トランジスタ基板

発明者：
福田 俊治

福田 俊治 について

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坂寄 勝哉

坂寄 勝哉 について

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在原 慶太

在原 慶太 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-090988
公開番号（公開出願番号）：特開2011-222787
出願日： 2010年04月09日
公開日（公表日）： 2011年11月04日
要約：
【課題】本発明は、簡便なプロセスで製造可能なものとすることができ、スイッチング特性に優れたTFT基板を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、可撓性を有する基板と、上記基板上に形成された半導体層および上記半導体層と接するように形成された半導体層接触絶縁層を有する薄膜トランジスタと、を有し、上記半導体層接触絶縁層の少なくとも一つが、5%重量減少温度が450°C以上である低アウトガス感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成された低アウトガス感光性ポリイミド樹脂を含む低アウトガス感光性ポリイミド絶縁層であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板を提供することにより、上記目的を達成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成された半導体層および前記半導体層と接するように形成された半導体層接触絶縁層を有する薄膜トランジスタと、 を有し、 前記半導体層接触絶縁層の少なくとも一つが、5%重量減少温度が450°C以上である低アウトガス感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成された低アウトガス感光性ポリイミド絶縁層であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (9件)：
H01L29/78 626C ,  G03F7/004 503Z ,  G03F7/038 504 ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280
Fターム (53件)：
2H125AG00P ,  2H125AM73P ,  2H125AN84P ,  2H125CA12 ,  2H125CB05 ,  2H125CC01 ,  2H125CC25 ,  2H125CD11P ,  2H125CD31 ,  2H125CD35 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD08 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40
引用特許：
審査官引用 (3件)

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