薄膜電界効果型トランジスタ、その製造方法、およびそれを用いた表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-173862
公開番号（公開出願番号）：特開2010-016126
出願日： 2008年07月02日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ON/OFF比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたTFTおよびその製造方法を提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有するTFTであって、前記活性層と前記ソース電極又は前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層の抵抗より電気抵抗率の高い抵抗部を有し、かつ前記抵抗部と前記ゲート電極が互いに平面状重なりを有しない位置に配置されていることを特徴とする。TFTの製造方法および表示装置も開示される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極又は前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層より電気抵抗率の高い抵抗部を有し、かつ前記抵抗部と前記ゲート電極とが互いに平面状重なりを有していないことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H05B 33/02 , H01L 51/50 , H05B 33/08

FI (7件)：

H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 616M , H05B33/02 , H05B33/14 A , H05B33/08

Fターム (75件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 3K107DD17 , 3K107EE04 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG51 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK11 , 5F110HK16 , 5F110HK17 , 5F110HK18 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ12 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (3件)

発光装置及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325367 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325364 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-074630 出願人：キヤノン株式会社

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