特許
J-GLOBAL ID：201103059700047642
高分子の超薄膜加工法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 安藤 克則
, 池田 幸弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-563295
特許番号：特許第3816803号
出願日： 2001年02月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭素含有材料の超薄膜特に高分子材料の超薄膜をつくる方法であって、そこでは、膜は0.5μm以下の厚さを有し、そこでは、膜は材料を液相から固体表面に付着させることによって形成され、そこでは、液相は溶融状態の又は溶媒に溶解した材料によって形成され、そこでは、付着は囲いの中で行われ、囲いは特にクリーンルーム又は製造装置内の閉じた小区画であり、そこでは、材料は適切な付着後処理で強誘電性および/またはエレクトレット性を示すことができ、そして、そこでは、方法は、液相、固体表面、および、付着および付着後処理中の固体表面上の囲いの自由容積、の少なくとも一つから水および水蒸気を排除および/または除去することによって、囲いの容積に等しい空気の体積の中でのそしてその空気が1気圧の圧力である中での50%未満の相対湿度に相当する囲い内の全湿気分を維持し、付着および付着後処理中のどの時点でもこの全湿気分の維持は囲い内の実際の水蒸気圧ばかりでなく液相の水分を考慮している、ことを特徴とする、前記方法。
IPC (3件)：
B05D 5/12 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
B05D 5/12 Z
, H01L 27/10 651
