特許
J-GLOBAL ID：201103059965034062

光結合デバイスの製造方法

発明者：
畠山 大

畠山 大 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-261875
公開番号（公開出願番号）：特開2011-107384
出願日： 2009年11月17日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：
【課題】光結合デバイスの実装体積や実装構造上の制約のより少ない状態で、検査コストが低減できるようにする。【解決手段】ウエハ段階までの製造工程を経た素子について、ウエハ段階検査を行う。まず、複数の光集積回路チップが形成されたウエハ121において、検査対象となる光集積回路チップ122の上に光ファイバ108の光入出射端を近設し、光集積回路チップ122内部より光導波路部コア144からなる光導波路を導波してきた光信号151を、回折格子部143よりなるグレーティングカプラで反射させて光ファイバ108に光結合させる。このようにして光ファイバ108に光結合した信号光を用い、光集積回路チップ122における光ICの特性検査が行える。なお、光IC部は、必要に応じ、通電用プローブによる電気信号の供給が行われて駆動されている。【選択図】 図1G
請求項（抜粋）：
ウエハ上に形成された複数の光素子の光学特性をウエハ段階で検査する工程と、 前記ウエハを分割して前記複数の光素子を個別素子とする工程と、 前記個別素子を実装する工程と、 実装された前記個別素子と外部光回路との間を光学的に接続する工程と を少なくとも含む光結合デバイスの製造方法であって、 前記光素子は、前記ウエハより離れる方向としての前記ウエハの上方に信号光の進行方向を変更する第1光路変更部と、この第1光路変更部で変更された信号光を反射する反射部と、この反射部で反射した信号光の進行方向を前記光素子の基板平面方向に変更する第2光変更部とを少なくとも備え、 ウエハ段階での光特性の検査は、前記反射部を前記光素子に形成する前に行い、前記第1光路変更部および前記第2光変更部の少なくとも1つに、前記ウエハ上方より入射した試験用信号光により行う、もしくは、前記光素子から出射された試験用信号光をウエハ上方で受光することにより行う ことを特徴とする光結合デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
G02B 6/122 ,  G02B 6/34
FI (2件)：
G02B6/12 A ,  G02B6/34
Fターム (38件)：
2H137AA14 ,  2H137AB08 ,  2H137AB11 ,  2H137AC01 ,  2H137BA34 ,  2H137BA53 ,  2H137BB12 ,  2H137BC25 ,  2H137BC52 ,  2H137CA13A ,  2H137CA73 ,  2H137EA02 ,  2H137EA04 ,  2H137EA11 ,  2H147AA02 ,  2H147AB31 ,  2H147BC03 ,  2H147BC08 ,  2H147BD19 ,  2H147BG04 ,  2H147CA01 ,  2H147CA13 ,  2H147CB01 ,  2H147CC02 ,  2H147CD01 ,  2H147EA02C ,  2H147EA12C ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA14C ,  2H147EA15C ,  2H147FA03 ,  2H147FA09 ,  2H147FC02 ,  2H147FC03 ,  2H147FC08 ,  2H147FD13
引用特許：
審査官引用 (5件)
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