特許
J-GLOBAL ID：201103060190104415
光電変換素子及びその製造方法、光センサ、並びに撮像素子及びそれらの駆動方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-204946
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082508
出願日： 2010年09月13日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：
【課題】光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、かつ、低い暗電流を示し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供する。【解決手段】透明導電性膜、光電変換膜、及び導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、前記光電変換膜は、光電変換層、及び電子ブロッキング層を含み、前記電子ブロッキング層が下記一般式で表される化合物を含有し、前記一般式で表される化合物が、環構造を3つ以上含む置換アミノ基を置換基として有する化合物である、光電変換素子。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
透明導電性膜、光電変換膜、及び導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、
前記光電変換膜は、光電変換層、及び電子ブロッキング層を含み、
前記電子ブロッキング層が下記一般式(F-2)で表される化合物を含有し、
前記一般式(F-2)で表される化合物が、環構造を3つ以上含む置換アミノ基を置換基として有する化合物である、光電変換素子。
一般式(F-2)
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/10 A
, H01L27/14 E
4M118BA07
, 4M118CA14
, 4M118CA32
, 4M118CB05
, 4M118CB14
, 4M118CB20
, 4M118GB03
, 4M118GB06
, 4M118GC07
, 5F049MA02
, 5F049MB08
, 5F049NA05
, 5F049NB05
, 5F049PA06
, 5F049QA20
, 5F049SE04
, 5F049SS01
