特許
J-GLOBAL ID：200903058206543233

光電変換素子、固体撮像素子、及び固体撮像素子の製造方法

発明者：
横山 大輔

横山 大輔 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-100627
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273894
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】光電変換層を厚くすることなく光吸収率を向上させることが可能な光電変換素子を提供する。【解決手段】下部電極2と、下部電極2と対向する上部電極4と、下部電極2と上部電極4との間に形成された光電変換層3とを有し、下部電極2と上部電極4との間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子100であって、上部電極4を光入射側の電極とし、上部電極4が透明電極であり、下部電極2が光の反射機能を有する金属電極である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下部電極と、前記下部電極と対向する上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成された光電変換層とを有し、前記下部電極と前記上部電極との間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子であって、 前記上部電極を光入射側の電極とし、 前記上部電極が透明であり、 前記下部電極が光の反射機能を有する金属電極である光電変換素子。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (2件)：
H01L31/10 A ,  H01L27/14 C
Fターム (28件)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA15 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  4M118GD15 ,  5F049MA03 ,  5F049MB08 ,  5F049NA01 ,  5F049NA05 ,  5F049NA18 ,  5F049NB05 ,  5F049PA06 ,  5F049PA07 ,  5F049PA15 ,  5F049QA03 ,  5F049RA02 ,  5F049RA06 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SE16 ,  5F049SE20 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-220724   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (10件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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