特許

J-GLOBAL ID：201103060487949384

AlGaInP発光ダイオード

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (2件)： 内田 幸男 ,  柿沼 伸司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-206220
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036135
特許番号：特許第4302827号
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 III-V族化合物半導体からなる第1の構成層と該第1の構成層よりも禁止帯幅を大とするIII-V族化合物半導体からなる第2の構成層とを交互に積層した多層構造からなる亜鉛をドープしたp型のブラッグ反射層と、一方の主面を該ブラッグ反射層に接して形成されたマグネシウムをドープしたリン化アルミニウム・ガリウム・インジウム混晶((AlXGa1-X)0.5In0.5P、但し0≦X≦1)からなるp形のクラッド層と、該p形のクラッド層の他方の主面に接して形成されたリン化アルミニウム・ガリウム・インジウム混晶((AlYGa1-Y)0.5In0.5P、但し0≦Y≦1)からなる発光層とを少なくとも具備するAlGaInP発光ダイオードにおいて、前記p形クラッド層と接する前記p形のブラッグ反射層の構成層が、亜鉛の原子濃度を、該ブラッグ反射層を構成する他の構成層の1/10以下とするIII-V族化合物半導体から構成されていることを特徴とするAlGaInP発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L 33/00 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 33/00 B

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-028283   出願人：昭和電工株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-178298   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-028283   出願人：昭和電工株式会社