特許

J-GLOBAL ID：201103061193865723

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 田原 伊和男 ,  三原 一郎 ,  青木 由隆
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社 ,  カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 鹿嶋 英實
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-243765
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057291
特許番号：特許第3540728号
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】回路素子形成領域を有し、且つ、複数の接続パッドが形成された半導体基板と、該回路素子形成領域上に形成された絶縁膜と、前記接続パッドに電気的に接続される複数の柱状電極とを備える半導体装置において、前記絶縁膜上に形成され、前記柱状電極に接続されるとともに前記接続パッドに接続される配線用導体層と、前記配線用導体層と同材料で同層に形成された電極用導体層と、からなる第1の導体層と、該第1の導体層の前記電極用導体層上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に設けられた電極用の第2の導体層を備え、前記第1の導体層の前記電極用導体層と、前記誘電体層および前記第2の導体層と、により形成された容量素子を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/60 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/92 604 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-198127   出願人：カシオ計算機株式会社
• 複合集積回路部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-142882   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-303639   出願人：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-035759   出願人：カシオ計算機株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-198127   出願人：カシオ計算機株式会社
• 複合集積回路部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-142882   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-303639   出願人：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-035759   出願人：カシオ計算機株式会社