特許
J-GLOBAL ID:201103061426534870

光電変換装置の製造方法および検査方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 藤田 考晴 ,  上田 邦生
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-006140
公開番号(公開出願番号):特開2005-203451
特許番号:特許第4576127号
出願日: 2004年01月13日
公開日(公表日): 2005年07月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 絶縁性基板上に、第1電極と、p型シリコン層、n型シリコン層およびi型シリコン層からなるpin構造またはnip構造のアモルファスシリコン層と、第2電極とを少なくとも順次積層してなるとともに、前記第1電極の前記アモルファスシリコン層側の面の表面構造が微細な凹部および凸部を有するテクスチャ構造とされた光電変換装置の製造方法であって、 前記絶縁性基板上に前記第1電極を成膜する際、前記凸部の周囲を取り囲む、前記凹部を結ぶ無端の線の長さを、該凹部を結ぶ無端の線で囲まれた領域の面積で除した値が、10μm〜20μm/μm2となるように成膜制御し、 前記凸部の周囲を取り囲む、前記凹部を結ぶ無端の線の長さを、該凹部を結ぶ無端の線で囲まれた領域の面積で除した値が、10μm〜20μm/μm2となっているものを合格品とし、それ以外のものを不合格品とすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
IPC (1件):
H01L 31/04 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 31/04 B
引用特許:
審査官引用 (3件)

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