特許

J-GLOBAL ID：201103061747948685

半導体装置の作製方法

発明者： 角野 真也 ,  山崎 舜平 ,  山内 幸夫 ,  北角 英人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 玉城 信一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-085251
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353810
特許番号：特許第4578611号
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ガラス基板上に第1の被膜を形成する工程と、 フッ素を含有する酸性溶液を前記第1の被膜表面に接触させ、前記ガラス基板をスピンさせ、前記第1の被膜表面に接触した前記酸性溶液を飛散させてエッチングで前記第1の被膜表面の汚染不純物を除去する工程と、 汚染不純物が除去された前記第1の被膜に接して第2の被膜を形成する工程と、を有し、 前記第1の被膜と第2の被膜は、結晶質半導体膜と前記結晶質半導体膜に接する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  H01L 21/306 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/78 627 Z ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/306 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-164143   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-092472
  
• 薄膜状半導体素子およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-238714   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所