ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245220
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068485
特許番号：特許第3424814号
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】サファイヤ基板と、その上に形成され、粒界を有するがX線回折法あるいは反射電子線回折法による測定では単結晶ZnOの特性を示す低温成長ZnO層にZnOの結晶が成長し表面の平坦化がなされる熱処理による表面平坦化処理を施した低温成長ZnO単結晶層と、前記低温成長ZnO単結晶層上に形成された高温成長ZnO単結晶層とを含むZnO結晶構造。

IPC (2件)：